8 (800) 600 67 43
8 (800) 600 67 43
Технология молекулярного наслаивания
ООО «ИЦ МН» специализируется на производстве оборудования и технологий для молекулярного наслаивания (ALD технологии)
Технология молекулярного наслаивания разработана в 1960-х годах В.Б. Алесковским и С.И. Кольцовым в ЛТИ им. Ленсовета.
В западных странах технология начала развиваться только в конце 1970-х годов, через 20 лет после исследований в СССР.
Дальнейшее развитие технологии молекулярного наслаивания (ALD технологии) было проведено учениками: А.А. Малыгиным, В.М. Смирновым, А.А. Малковым, Е.П. Смирновым и др.
ЭКСПЕРТНОСТЬ ИЦ МН В ОБЛАСТИ
МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ
ООО «ИЦ МН» продолжает развитие технологии молекулярного наслаивания (ALD технологии) на новом уровне:
- Разработали и производим оборудование для технологии совместно с профессором А.А. Малыгиным и его командой из СПбГТИ(ТУ);
- Стали лидерами в области производства оборудования для молекулярного наслаивания в России.
Установки молекулярного наслаивания,
Разработанные в ИЦМН
Получено заключение Минпромторга о подтверждении производства промышленной продукции на территории Российской Федерации (ПП РФ №719)
Оборудование серии «УМН» — высокотехнологичное оборудование, разработанное для синтеза функциональных нанопленок на различных трехмерных изделиях и пластинах методом молекулярного наслаивания (АСО, ALD)
Объем реакционной камеры - 30 л,
Температура подложки во время процесса до 250 °С,
Тип подложки: Пластины, 3D объекты, объекты с большой удельной поверхностью
Диаметр пластины - 150 мм,
Температура подложки во время процесса до 250 °С,
Тип подложки: Пластины
Заливные азотные ловушки используются для предотвращения попадания паров рабочей жидкости, которая используется в насосах, в вакуумную систему / камеру.
Вакуумметр МВАК-01 со встроенным контроллером предназначен для измерения пониженного давления в диапазоне низкого и среднего вакуума от 1,0×10-1 до 1,0×105 Па. Разработан в рамках ПП РФ 1649.
МОЛЕКУЛЯРНОЕ НАСЛАИВАНИЕ
- Молекулярное наслаивание – физико-химический метод нанесения сверхтонких нанопленок из газовой фазы, пленки обладают высокой однородностью и конформностью;
- Основан на поверхностно-контролируемых и самонасыщаемых реакциях адсорбции между поверхностью и газовыми прекурсорами;
- Рост пленок осуществляется за счет последовательного нанесения молекулярных слоев что позволяет точно контролировать толщину пленки и её химический состав.
4 этапа представляют собой один цикл. Требуемая толщина пленки достигается путем повторения цикла необходимое количество раз
НАБЛЮДАЕМЫЕ ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЭФФЕКТЫ
В ПРОЦЕССЕ МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ
В основе исследования свойств продуктов молекулярного наслаивания (ALD технологии) применительно к материалам различного функционального назначения заложены фундаментальные структурно-размерные эффекты и подходы на их основе:
- эффект монослоя, т. е. резкое, скачкообразное изменение свойств материала при нанесении от одного до нескольких монослоев новых структурных единиц;
- эффект перекрывания подложки, когда наблюдается физическое экранирование поверхности матрицы при толщине нанослоя от 4-6 монослоев и выше
- эффект взаимного согласования структуры наращиваемого нанослоя и приповерхностных слоев твердофазной матрицы подложки
- ~ 100% конформность покрытия на плоских и 3D подложках, и дисперсных материалах
- Прецизионный контроль толщины
- Превосходная адгезия пленки
- Превосходная однородность
- Пленки с отсутствием микроотверстий и дефектов
- Воспроизводимый процесс
- Низкие температуры процессов
- Дифференцированные или смешанные слои/наноламинаты
