ТЕХНОЛОГИЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО НАСЛАИВАНИЯ

Технология Молекулярного Наслаивания Технология Молекулярного Наслаивания была разработана Алесковским В. Б. и Кольцовым С. И. в Ленинграде в 60-ые годы. Технология заключается в направленном формировании на поверхности подложки нужного набора функциональных групп, что создает предпосылки для наращивания нового слоя, связанного с подложкой прочной химической связью. Это достигается путем проведения реакции функциональных групп с молекулами выбранного прекурсора в определенных условиях. В этих реакциях производится “достройка” подложки слоем новых структурных единиц. Важнейшим отличительным признаком этого метода является саморегуляция процесса, состоящая в остановке роста слоя после завершения синтеза одного монослоя вещества и его возобновлении только при поступлении внешнего сигнала (в виде новой порции реагентов) о продолжении процесса. Толщина получаемых пленок зависит не от длительности проведения процесса роста, как в других методах, а от числа повторяющихся циклов роста.    

В.Б. Алесковский

С.И. Кольцов

Воспроизводимый синтез, основанный на использовании необратимых в условиях синтеза реакций функциональных групп на поверхности твердого тела с молекулами низкомолекулярного вещества, причем последние не должны реагировать между собой.  


Синтез осуществляется путем многократного чередования двух или нескольких реакций, которые в определенной заданной последовательности проводятся на поверхности твердого тела. В результате каждой из этих реакций к поверхности должен присоединиться лишь один монослой новых функциональных групп.


Поверхность твердого тела для синтеза вещества должна обладать структурным соответствием, главным образом, наличием на поверхности достаточного количества функциональных групп необходимой химической природы.



Схема метода молекулярного наслаивания

а – слой заданной толщины
б – слой с заданным расположением монослоев различной химической природы
в – многокомпонентные монослои заданного состава

Процесс синтеза полностью автоматизирован, скорость роста слоев достигает 0.3 мкм/ч. Синтез проводится в условиях вакуума до 10-1 Па или в потоке инертного газа-носителя. Технология обеспечивает высокую равномерность нанесения пленок: отклонение по толщине слоя не превышает 1% по площади пластины диаметром 300 мм.